Datasheet > 2SC3858P

2SC3858P

更新时间： 2024-11-23 20:26:23

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		/
页数	文件大小	规格书
1页	28K
描述
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT-200, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3858P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.39
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3858P 数据手册

2 S C3 8 5 8

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1494)

Application : Audio and General Purpose

(Ta=25°C)

External Dimensions MT-200

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Ratings

100max

200min

50min

Ratings

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB=200V

Unit

µA

Unit

±0.2

6.0

±0.3

36.4

24.4

200

±0.2

2.1

±0.1

2-ø3.2

IEBO

V^EB=6V

200

V(BR)CEO

hFE

I^C=50mA

V^CE=4V, IC=8A

I^C=10A, IB=1A

V^CE=12V, IE=–1A

V^CB=10V, f=1MHz

MHz

2.5max

20typ

VCE(sat)

200(Tc=25°C)

150

°C

300typ

COB

+0.2

-0.1

0.65

+0.2

-0.1

1.05

h^FERank Y(50 to 100), P(70 to 140), G(90 to 180)

Tstg

–55 to +150

+0.3

-0.1

3.0

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 18.4g

a. Part No.

R^L

(Ω)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

V^CC

(V)

I^C

(A)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–5

–1

0.5typ

0.6typ

1.8typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(V^CE=4V)

50mA

IC=15A

I^B=20mA

10A

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

300

200

125˚C

100

Typ

25˚C

100

–30˚C

0.5

0.02

0.1

0.5

10 17

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

10 17

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

200

160

120

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

0.1

–0.02

100

300

–0.1

–1

Emitter Current I^E(A)

–10

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

中文翻译

下载PDF

与2SC3858P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3858Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC3858Y	ISC	获取价格	Transistor
2SC3859	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
2SC385A	TOSHIBA	获取价格	2SC385A
2SC3860	SANYO	获取价格	PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
2SC3860-AP	ONSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3862	TOSHIBA	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TY TUNER, UHF MIXER, VHF~UHF BAND RF AMPLIFIER APPLICATIONS
2SC3862_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar Type TV Tuner, UHF Mixer Applications
2SC3862TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC3862TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

与2SC3858P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3858P

2SC3858P 技术参数

2SC3858P 数据手册

与2SC3858P相关器件

与2SC3858P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3858P

2SC3858P 技术参数

2SC3858P 数据手册

与2SC3858P相关器件

与2SC3858P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？