5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SC3646S
2SC3646S PDF预览

2SC3646S

更新时间： 2024-11-19 23:20:15
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC3646S 数据手册

 浏览型号2SC3646S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3646S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC3646S的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number:EN2005A  
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
2SA1416/2SC3646  
High-Voltage Switching Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Adoption of FBET, MBIT processes.  
· High breakdown voltage and large current capacity.  
· Fast switching time.  
· Very small size making it easy to provide high-  
density, small-sized hybrid ICs.  
2038  
[2SA1416/2SC3646]  
E : Emitter  
C : Collector  
B : Base  
( ) : 2SA1416  
SANYO : PCP  
(Bottom view)  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
(–)120  
(–)100  
(–)6  
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
CEO  
V
EBO  
I
(–)1  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
(–)2  
A
CP  
P
500  
mW  
W
˚C  
˚C  
C
Moutned on ceramic board (250mm2×0.8mm)  
1.3  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
=(–)100V, I =0  
E
=(–)4V, I =0  
C
=(–)5V, I =(–)100mA  
C
(–)100  
(–)100  
400*  
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
EBO  
h
100*  
FE  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
=(–)10V, I =(–)100mA  
120  
MHz  
pF  
pF  
V
T
C
C
=(–)10V, f=1MHz  
(13)  
8.5  
ob  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
V
V
I
=(–)400mA, I =(–)40mA  
C B  
(–0.2)  
0.1  
(–0.6)  
0.4  
CE(sat)  
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage  
Collector-to-Base Breakdown Voltage  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-to-Base Breakdown Votage  
Turn-ON Time  
I
I
I
=(–)400mA, I =(–)40mA  
B
=(–)10µA, I =0  
E
(–)0.85  
(–)1.2  
V
BE(sat)  
C
C
C
V
V
V
(–)120  
(–)100  
(–)6  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
=(–)1mA, R =∞  
V
BE  
I =(–)10µA, I =0  
V
E
C
t
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
(80)  
80  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
on  
Storage Time  
Fall Time  
t
(700)  
850  
(40)  
50  
stg  
t
f
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
71598HA (KT)/3277KI/N255MW, TS No.2005-1/4  
1234

中文翻译

下载PDF

与2SC3646S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3646S-TD-E ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity
2SC3646T ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
2SC3646-T KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SC3646T-TD-E ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity
2SC3647 SANYO

获取价格

 		High-Voltage Switching Applications
2SC3647 LGE

获取价格

 		NPN Transistors
2SC3647 KEXIN

获取价格

 		High-Voltage Switching Applications
2SC3647 UTC

获取价格

 		HIGH-VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS
2SC3647 ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor
2SC3647 TYSEMI

获取价格

 		Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity

与2SC3646S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证