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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.09 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 140 |
| JEDEC-95代码： | TO-243AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3646T-TD-E | ONSEMI |
功能相似  |
Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3646T | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
|
| 2SC3646-T | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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| 2SC3646T-TD-E | ONSEMI |
获取价格 |
Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity |
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| 2SC3647 | SANYO |
获取价格 |
High-Voltage Switching Applications |
|
| 2SC3647 | LGE |
获取价格 |
NPN Transistors |
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| 2SC3647 | KEXIN |
获取价格 |
High-Voltage Switching Applications |
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| 2SC3647 | UTC |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS |
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| 2SC3647 | ONSEMI |
获取价格 |
Bipolar Transistor |
|
| 2SC3647 | TYSEMI |
获取价格 |
Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity |
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| 2SC3647_09 | UTC |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS |
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