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2SC3647

更新时间： 2024-11-20 12:33:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 337K
描述
Bipolar Transistor

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2SC3647 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.55最大集电极电流 (IC)：2 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

2SC3647 数据手册

 浏览型号2SC3647的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3647的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC3647的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC3647的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC3647的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC3647的Datasheet PDF文件第7页 
Ordering number : EN2006D  
2SA1417/2SC3647  
Bipolar Transistor  
(-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP  
http://onsemi.com  
Features  
•
Adoption of FBET, MBIT processes  
•
High breakdown voltage and large current capacity  
•
Fast switching speed  
•
Ultrasmall size making it easy to provide high-density small-sized hybrid ICs  
( ) : 2SA1417  
Specifications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
(--)120  
(--)100  
(--)6  
Unit  
V
V
CBO  
V
V
CEO  
V
V
EBO  
I
C
(--)2  
A
Collector Current (Pulse)  
I
CP  
(--)3  
A
500  
mW  
W
Collector Dissipation  
P
C
When mounted on ceramic substrate (250mm2 0.8mm)  
1.5  
×
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
C
°
°
Tstg  
--55 to +150  
C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating  
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Package Dimensions  
unit : mm (typ)  
Product & Package Information  
• Package  
: PCP  
7007B-004  
• JEITA, JEDEC  
: SC-62, SOT-89, TO-243  
•
Minimum Packing Quantity : 1,000 pcs./reel  
Top View  
2SA1417S-TD-E  
2SA1417T-TD-E  
2SC3647S-TD-E  
2SC3647T-TD-E  
4.5  
1.6  
Packing Type: TD  
1.5  
TD  
1
2
3
Marking  
0.4  
0.5  
0.4  
1.5  
3.0  
RANK  
RANK  
2SA1417  
2SC3647  
0.75  
Electrical Connection  
2
2
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
1
1
Bottom View  
3
3
PCP  
2SA1417  
2SC3647  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
September, 2013  
90512 TKIM/22006EA MSIM/O3103TN (KT)/71598HA (KT)/3277KI/N255MW, TS No.2006-1/7  
1234567

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2SC3647 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2195 ROHM

功能相似

 Power Transistor (100V , 2A)
2SD2170 ROHM

功能相似

 Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (90 , 2A)

与2SC3647相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3647_09 UTC

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 		HIGH-VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS
2SC3647_15 KEXIN

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 		NPN Transistors
2SC3647-AB3-R UTC

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 		HIGH-VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS
2SC3647G-R-AB3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
2SC3647G-S-AB3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
2SC3647G-T-AB3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
2SC3647G-X-AB3-R UTC

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 		HIGH-VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS
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2SC3647L-R-AB3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FRE
2SC3647L-S-AB3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FRE

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