Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC3585-S-A

2SC3585-S-A

更新时间： 2024-11-23 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器微波
页数	文件大小	规格书
8页	105K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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2SC3585-S-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.8 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3585-S-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC3585

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in

low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The

2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The

2SC3585 employs direct nitride passivated base surface process (DNP

process) which is an NEC proprietary new fabrication technique which

provides excellent noise figures at high current values. This allows

excellent associated gain and very wide dynamic range.

(Units: mm)

2.8±0.2

1.5

+0.1

−0.15

0.65

FEATURES

•

1.8 dB TYP.

9 dB TYP.

@f = 2.0 GHz

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Marking

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

1.5

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

200

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

T^j

150

T^stg

65 to +150

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

TEST CONDITIONS

V^CB= 10 V, I^E= 0

I^CBO

1.0

250

I^EBO

V^EB= 1 V, I^C= 0

h^FE*

f^T

100

V^CE= 6 V, I^C= 10 mA

Gain Bandwidth Product

Feed-Back Capacitance

Insertion Power Gain

Maximum Available Gain

Noise Figure

GHz

C^re**

0.3

8.0

0.8

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

S^21e

6.0

V^CE= 6 V, I^C= 10 mA, f = 2.0 GHz

V^CE= 6 V, I^C= 5 mA, f = 2.0 GHz

MAG

1.8

3.0

Pulse Measurement PW 350 s, Duty Cycle 2 %

** The emitter terminal and the case shall be connected to the gurad terminal of the three-terminal capacitance bridge.

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

R43/Q *

R43

R44/R *

R44

R45/S *

R45

50 to 100

80 to 160

125 to 250

* Old Specification / New Specification

Document No. P10361EJ4V1DS00 (4th edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1984

12 3 4 5 6 7 8

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与2SC3585-S-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3585-T1B	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
2SC3587	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC3588	NEC	获取价格	NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3
2SC3588K	ETC	获取价格	BJT
2SC3588L	ETC	获取价格	BJT
2SC3588M	ETC	获取价格	BJT
2SC3588-Z	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Triple Diffused Transistor
2SC3588-Z	TYSEMI	获取价格	High voltage VCEO=400V Collector to base voltage VCBO 500 V
2SC3588-Z	NEC	获取价格	NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3
2SC3588-Z-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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