2SC3583-R

更新时间： 2024-11-23 13:04:15

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日电电子 - NEC		晶体放大器晶体管微波光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	105K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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2SC3583-R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.065 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3583-R 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC3583

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in

low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low-

noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide

dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride

passivated base surface process (DNP process) which is an NEC

proprietary new fabrication technique.

(Units: mm)

2.8±0.2

1.5

+0.1

−0.15

0.65

FEATURES

•

1.2 dB TYP.

13 dB TYP.

@f = 1.0 GHz

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Marking

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

1.5

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

200

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

T^j

150

T^stg

65 to +150

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

TEST CONDITIONS

V^CB= 10 V, I^E= 0

I^CBO

1.0

250

I^EBO

V^EB= 1 V, I^E= 0

h^FE*

f^T

100

V^CE= 8 V, I^C= 20 mA

Gain Bandwidth Product

Feed-Back Capacitance

Insertion Power Gain

Maximum Available Gain

Noise Figure

GHz

C^re**

0.35

0.9

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

S^21e

V^CE= 8 V, I^C= 20 mA, f = 1.0 GHz

V^CE= 8 V, I^E= 7 mA, f = 1.0 GHz

MAG

1.2

2.5

Pulse Measurement PW 350 s, Duty Cycle 2 %

** The emitter terminal and the case shall be connected to the gurad terminal of the three-terminal capacitance bridge.

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

R33/Q *

R33

R34/R *

R34

R35/S *

R35

50 to 100

80 to 160

125 to 250

* Old Specification / New Specification

Document No. P10360EJ4V1DS00 (4th edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1984

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3583R33	NEC	获取价格	BJT
2SC3583-R33	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC3583-R33-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC3583R34	NEC	获取价格	BJT
2SC3583-R34	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC3583-R34	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3583-R34-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC3583R35	NEC	获取价格	BJT
2SC3583-R35	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC3583-R35	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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