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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.065 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3583-T1B-A | RENESAS |
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2SC3583-T1B-A |
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| 2SC3583-T2B | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| 2SC3585 | RENESAS |
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
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| 2SC3585 | TYSEMI |
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NF 1.8 dB TYP. f = 2.0 GHz Ga 9 dB TYP.f = 2.0 GHz |
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| 2SC3585 | NEC |
获取价格 |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
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| 2SC3585 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| 2SC3585(NE68033) | ETC |
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Discrete |
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| 2SC3585-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| 2SC3585Q | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-346 |
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| 2SC3585-Q | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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