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2SC3583-R-A

更新时间： 2024-11-26 15:25:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器ISM频段光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 94K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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2SC3583-R-A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.59
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.065 A
基于收集器的最大容量：0.9 pF集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：9000 MHz
Base Number Matches：1

2SC3583-R-A 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC3583  
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
The 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in  
low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low-  
noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide  
dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride  
passivated base surface process (DNP process) which is an NEC  
proprietary new fabrication technique.  
(Units: mm)  
2.8±0.2  
1.5  
+0.1  
−0.15  
0.65  
2
1
FEATURES  
3
•
•
NF  
Ga  
1.2 dB TYP.  
13 dB TYP.  
@f = 1.0 GHz  
@f = 1.0 GHz  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)  
Marking  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
20  
10  
V
V
1.5  
V
65  
mA  
mW  
C
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
200  
PIN CONNECTIONS  
1. Emitter  
2. Base  
Tj  
150  
Tstg  
65 to +150  
C
3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
A
TEST CONDITIONS  
VCB = 10 V, IE = 0  
ICBO  
1.0  
1.0  
250  
IEBO  
A
VEB = 1 V, IE = 0  
hFE *  
fT  
50  
100  
9
VCE = 8 V, IC = 20 mA  
VCE = 8 V, IC = 20 mA  
Gain Bandwidth Product  
Feed-Back Capacitance  
Insertion Power Gain  
Maximum Available Gain  
Noise Figure  
GHz  
pF  
Cre **  
0.35  
13  
0.9  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
2
S21e  
11  
dB  
VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = 8 V, IE = 7 mA, f = 1.0 GHz  
MAG  
NF  
15  
dB  
1.2  
2.5  
dB  
*
Pulse Measurement PW 350 s, Duty Cycle 2 %  
** The emitter terminal and the case shall be connected to the gurad terminal of the three-terminal capacitance bridge.  
hFE Classification  
Class  
Marking  
hFE  
R33/Q *  
R33  
R34/R *  
R34  
R35/S *  
R35  
50 to 100  
80 to 160  
125 to 250  
* Old Specification / New Specification  
Document No. P10360EJ4V1DS00 (4th edition)  
Date Published March 1997 N  
Printed in Japan  
©
1984  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3583S NEC

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 		BJT
2SC3583-S NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC3583-S-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
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2SC3583-T1B-A RENESAS

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2SC3585 NEC

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2SC3585 KEXIN

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 		NPN Silicon Epitaxial Transistor

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