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2SC3357RE-T1-A

更新时间： 2024-01-12 11:35:40

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瑞萨 - RENESAS		/
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10页	211K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-89

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2SC3357RE-T1-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	125
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SC3357RE-T1-A 数据手册

2SC3357

THERMAL RESISTANCE

Parameter

Symbol

Value

62.5

Unit

th (j-a) ^Note

C/W

Junction to Ambient Resistance

Note Mounted on 16 cm²× 0.7 mm (t) ceramic substrate

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= +25°C)

Parameter

DC Characteristics

Symbol

Test Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

I^CBO

I^EBO

V^CB= 10 V, I^E= 0 mA

V^EB= 1.0 V, I^C= 0 mA

= 10 V, I = 20 mA

–

1.0

250

µA

–

FE ^{Note 1}

120

RF Characteristics

Gain Bandwidth Product

Insertion Power Gain

Noise Figure (1)

f^T

V^CE= 10 V, I^C= 20 mA

= 10 V, I = 20 mA, f = 1 GHz

–

6.5

9.0

–

GHz

21e

V^CE= 10 V, I^C= 7 mA, f = 1 GHz

V^CE= 10 V, I^C= 40 mA, f = 1 GHz

1.1

–

Noise Figure (2)

1.8

3.0

1.0

re ^{Note 2}

Reverse Transfer Capacitance

= 10 V, I = 0 mA, f = 1 MHz

0.65

Notes 1. Pulse measurement: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

2. The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal

capacitance bridge.

h^FECLASSIFICATION

Rank

Marking

h^FEValue

50 to 100

80 to 160

125 to 250

Data Sheet PU10211EJ01V0DS

1 2 345 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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