5秒后页面跳转
2SC3280R PDF预览

2SC3280R

更新时间: 2024-09-15 19:53:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
2页 87K
描述
TRANSISTOR 12 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SC3280R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):12 A集电极-发射极最大电压:160 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):55
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
Base Number Matches:1

2SC3280R 数据手册

 浏览型号2SC3280R的Datasheet PDF文件第2页 

与2SC3280R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3281 MOSPEC

获取价格

POWER TRANSISTORS(15A,200V,150W)
2SC3281 Wing Shing

获取价格

NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
2SC3281 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC3281 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC3281 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
2SC3281_15 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC3281_2014 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC3281_PMC ETC

获取价格

2SC3281F ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-186VAR
2SC3281O MOSPEC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR