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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC3279-P
2SC3279-P PDF预览

2SC3279-P

更新时间： 2024-09-15 07:30:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 258K
描述
NPN Silicon Epitaxial Transistors

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2SC3279-P 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：750 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SC3279-P 数据手册

 浏览型号2SC3279-P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3279-P的Datasheet PDF文件第3页 
2SC3279-L  
2SC3279-M  
2SC3279-N  
2SC3279-P  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
High DC Current Gain and excellent hFE Linearity  
hFE(1) =140-600 (VCE=1.0V, IC=0.5A)  
hFE(2) =70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
NPN Silicon  
Epitaxial Transistors  
·
·
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
TO-92  
A
E
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
10  
30  
30  
6.0  
Unit  
V
V
V
V
VCEO  
VCES  
VCBO  
VEBO  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current - DC  
Pulsed (1)  
B
2.0  
5.0  
IC  
A
IB  
PC  
TJ  
Base Current  
0.2  
750  
-55 to +150  
-55 to +150  
A
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
mW  
OC  
OC  
C
TSTG  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Voltage  
10  
---  
---  
Vdc  
(I =10mAdc, IB=0)  
C
D
Collector-Emitter Voltage  
6.0  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
(I =1.0mAdc, IC=0)  
E
Collector Cutoff Current  
0.1  
uAdc  
(VCB=30Vdc,I =0)  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
---  
---  
0.1  
uAdc  
(VEB=6.0Vdc, I =0)  
C
E
ON CHARACTERISTICS  
C
G
B
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE  
DC Current Gain(2)  
---  
---  
(I =0.5Adc, VCE=1.0Vdc)  
DC Current Gain  
140  
70  
---  
200  
0.2  
600  
---  
C
(I =2.0Adc, VCE=1.0Vdc)  
C
Collector Saturation Voltage  
(I =2.0Adc, I =50mAdc)  
DIMENSIONS  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
---  
0.5  
1.5  
---  
C
B
INCHES  
MM  
Base Saturation Voltage  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MAX  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
(I =2.0Adc, VCE=1.0Vdc)  
---  
0.86  
150  
27  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
C
fT  
Transition Frequency  
(VCE=1.0Vdc, I =0.5Adc)  
100  
C
E
G
Cob  
Collector Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)  
---  
---  
E
(1) Pulse Width=10 ms (Max.), Duty Cycle=30% (Max.)  
(2) hFE(1) Classification L: 140-240, M: 200-330, N: 300-450, P: 420-600  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3279-P-A MCC

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 		暂无描述
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