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2SC3148_15

更新时间： 2024-11-30 01:19:35

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3148_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3148

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High collector breakdown voltage:

_CEO=800V(Min)

·Excellent switching time:

t_r=1.0μs(Max.)

t_f=1.0μs(Max.@I_C=0.8A

APPLICATIONS

·Switching regulator and high voltage

switching applications

·High speed DC-DC converter applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

900

Open base

800

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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