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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SIP | 包装说明： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.16 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3149G-T60-K-K | UTC |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC3149G-T60-K-L | UTC |
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暂无描述 |
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| 2SC3149G-T60-K-M | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| 2SC3149K | ONSEMI |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,800V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-220AB |
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| 2SC3149-K-T60-K | UTC |
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Transistor |
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| 2SC3149L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220AB |
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| 2SC3149-L | ONSEMI |
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1.5A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| 2SC3149L-K-T60-K | UTC |
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Transistor |
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| 2SC3149L-L-T60-K | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SC3149L-T60-K | UTC |
获取价格 |
NPN TRANSISTOR |
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