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2SC3150

更新时间： 2024-11-27 06:19:15

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4页	161K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3150 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3150

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High breakdown voltage

: V_CBO=900V(Min)

·Fast switching speed.

·Wide ASO (Safe Operating Area)

APPLICATIONS

·800V/3A switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

900

800

UNIT

ꢀ

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

1.5

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

ꢀ

12 3 4

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