2SC3149

更新时间： 2024-11-29 05:56:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	197K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3149 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC3149 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3149

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High breakdown voltage:

V_CBO=900V(Min)

·Fast switching speed.

·Wide ASO (Safe Operating Area)

APPLICATIONS

·800V/1.5A switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

900

800

UNIT

Open base

Open collector

1.5

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

0.8

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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