2SC3149

更新时间： 2024-01-10 00:27:37

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	197K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3149 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	40 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3149 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3149

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High breakdown voltage:

V_CBO=900V(Min)

·Fast switching speed.

·Wide ASO (Safe Operating Area)

APPLICATIONS

·800V/1.5A switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

900

800

UNIT

Open base

Open collector

1.5

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

0.8

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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