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2SC3120TE85L

更新时间: 2024-11-24 21:20:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 117K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal

2SC3120TE85L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.9最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:0.9 pF集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:NPN
最小功率增益 (Gp):12 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2400 MHz
Base Number Matches:1

2SC3120TE85L 数据手册

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High Gain: Gpe=24dB(Typ.)(f=200MHz) Low Noise :NF=2.0dB(Typ.)(f=200MHZ)