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2SC3122

更新时间： 2024-02-15 09:56:00

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2页	49K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SC3122 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.85	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.02 A	基于收集器的最大容量：	0.45 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
最小功率增益 (Gp)：	20 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	650 MHz

2SC3122 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon NPN Epitaxial

2SC3122

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

High Gain: Gpe=24dB(Typ.)(f=200MHz)

Low Noise :NF=2.0dB(Typ.)(f=200MHZ)

Excellent Forward AGC Characteristics

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Base current

I^B

Collector Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature Range

P^C

150

T^j

125

Tstg

-55 to +125

www.kexin.com.cn

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