2SC3123

更新时间： 2024-11-24 05:56:43

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	173K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

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2SC3123 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC3123 数据手册

INCHANGE Semiconductor

iscRF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

2SC3123

DESCRIPTION

·High Conversion Gain

G_ce= 23dB TYP.

·Low Reverse Transfer Capacitance

C_re= 0.4pF TYP.

APPLICATIONS

·Designed for TV VHF mixer applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

0.15

125

-55~125

T_J

Junction Temperature

℃

Storage Temperature Range

℃

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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