2SC3123

更新时间： 2024-01-10 05:34:52

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3123 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	0.5 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1400 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3123 数据手册

INCHANGE Semiconductor

iscRF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

2SC3123

DESCRIPTION

·High Conversion Gain

G_ce= 23dB TYP.

·Low Reverse Transfer Capacitance

C_re= 0.4pF TYP.

APPLICATIONS

·Designed for TV VHF mixer applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

0.15

125

-55~125

T_J

Junction Temperature

℃

Storage Temperature Range

℃

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与2SC3123相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3123_07	TOSHIBA	Silicon NPN Epitaxial Planar Type TV VHF Mixer Applications	获取价格
2SC3124	KEXIN	Silicon NPN Epitaxial	获取价格
2SC3124	TOSHIBA	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV TUNER, VHF OSCILLATOR APPLICATIONS)	获取价格
2SC3124	TYSEMI	Collector-base voltage VCBO 30 V Collector-emitter voltage VCEO 15 V	获取价格
2SC3124	ISC	isc Silicon NPN RF Transistor	获取价格
2SC3124_07	TOSHIBA	Silicon NPN Epitaxial Planar Type TV Tuner, VHF Oscillator Applications	获取价格