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2SC3122TE85L

更新时间: 2024-02-02 17:03:16
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 86K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal

2SC3122TE85L 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.02 A基于收集器的最大容量:0.45 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):20 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):650 MHzBase Number Matches:1

2SC3122TE85L 数据手册

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