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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.85 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1.3 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3125 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
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| 2SC3125 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN RF Transistor |
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| 2SC3125 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE RF AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3125 | TYSEMI |
获取价格 |
Good Lineality of fT Collector-base voltage VCBO 30 V |
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| 2SC3125 | LGE |
获取价格 |
双极型晶体管 |
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| 2SC3125 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
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| 2SC3125_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type TV Final Picture IF Amplifier Applications |
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| 2SC3125TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal |
|
| 2SC3125TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP RF Small Signal |
|
| 2SC3127 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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