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2SC3127ID-TL

更新时间： 2024-11-27 13:04:15

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	178K
描述
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3

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2SC3127ID-TL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.29	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3127ID-TL 数据手册

2SC3127

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0711-0300

(Previous ADE-208-1080A)

Rev.3.00

Aug.10.2005

Application

UHF/VHF wide band amplifier

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Note:

Marking for 2SC3127 is “ID–”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3127ID-TL-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC3127ID-UL	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SC3128	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SC3128RF	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92
2SC3128RR	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92
2SC3128TR	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3128TZ	HITACHI	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92
2SC313	NJSEMI	获取价格	Silicon NPN Transistor VHF-UHF Amplifier, Mixer/Osc
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