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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.86 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 600 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3127 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3127 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3127 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN RF Transistor |
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| 2SC3127|2SC3128 | ETC |
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| 2SC3127ID-TL | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC3127ID-TL | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SC3127ID-TL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3127ID-UL | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SC3128 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3128RF | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92 |
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