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2SC3134

更新时间： 2024-02-05 16:01:09

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科信 - KEXIN		晶体晶体管光电二极管放大器
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1页	37K
描述
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

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2SC3134 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.49	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SC3134 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

2SC3134

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

High VEBO.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

Wide ASO and high durability against breakdown.

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

150

Collector current (pulse)

Collector dissipation

I^cp

300

P^C

200

Junction temperature

Storage temperature

T^j

125

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

VCB=40V, IE=0

Min

Typ

Max

0.1

Unit

ìA

Collector cutoff current

I^CBO

IEBO

h^FE

f^T

Emitter cutoff current

VEB=10V, IC=0

0.1

ìA

DC current gain

VCE=6V, IC=1mA

VCB=6V, f=1MHz

560

Gain bandwidth product

Output capacitance

100

2.2

MHz

C^ob

Collector-emitter saturation voltage

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

V^CE(sat)IC=50mA, IB=5mA

V^(BR)CBOIC=10ìA, IE=0

0.5

V^(BR)CEO

IC=1mA, RBE=

V^(BR)EBOIE=10ìA, IC=0

hFE Classification

Marking

Rank

200 400

hFE

90 180

135 270

300 600

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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