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2SC3135T

更新时间： 2024-02-29 20:50:19

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	424K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SPAK

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2SC3135T 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	280	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SC3135T 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3135U	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SPAK	获取价格
2SC3136	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SC3137	TOSHIBA	TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,50MA I(C),MICRO-X	获取价格
2SC3138	TOSHIBA	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)	获取价格
2SC3138	KEXIN	Silicon NPN Triple Diffused Type	获取价格
2SC3138	TYSEMI	High voltage. VCBO = 200 V (max) Small flat package.	获取价格

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