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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.31 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1959-Y | MCC |
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Power Silicon NPN Transistor |
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| 2SC1959-Y-AP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC1959-Y-AP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2SC1959-Y-BP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC1959Y-BP | MCC |
获取价格 |
500mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| 2SC1959-Y-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2SC1965 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 17V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
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| 2SC1966 | MITSUBISHI |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifier on UHF band mobile radio applications) |
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| 2SC1967 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF POWER TRANSISTOR(NPN EPITAXAIL PLANAR TYPE) |
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| 2SC1968 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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