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2SC1959-Y PDF预览

2SC1959-Y

更新时间： 2024-11-24 07:30:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 269K
描述
Power Silicon NPN Transistor

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2SC1959-Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

2SC1959-Y 数据手册

 浏览型号2SC1959-Y的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC1959-Y的Datasheet PDF文件第3页 
2SC1959-O  
2SC1959-Y  
2SC1959-GR  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Audio frequency low power amplifier applications, driver stage  
Power Silicon  
NPN Transistor  
amplifier applications, switching applications  
Excellent hFE Linearity: hFE(2) =25(Min.) : VCE=6.0V, IC=400mA  
1 Watt Amplifier applications  
Complementary to 2SA562TM.  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
•
•
•
·
·
Moisure Sensitivity Level 1  
TO-92  
x
•
Marking: C1959  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates RoHS  
A
E
Compliant. See ordering information)  
Maximum Ratings  
B
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
30  
35  
5.0  
500  
100  
500  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
V
Collector Current  
mA  
mA  
mW  
OC  
OC  
IB  
Base Current  
PC  
TJ  
TSTG  
Collector Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
ICBO  
Collector-Base Cutoff Current  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
D
(VCB=35Vdc, I =0)  
E
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
hFE-2  
VCE(sat)  
VBE  
DC Current Gain*  
E
70  
--- 400  
---  
---  
C
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
B
G
DC Current Gain*  
25  
---  
---  
0.1  
0.8  
300  
----  
0.25  
1.0  
(I =400mAdc, VCE=6.0Vdc)  
C
Collector-Emitter Saturation Voltage  
DIMENSIONS  
Vdc  
Vdc  
(I =100mAdc, IB=10mAdc)  
C
INCHES  
MIN  
MM  
Base-Emitter Voltage  
---  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.190  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
fT  
Transition Frequency  
200  
---  
---  
MHZ  
pF  
(VCE=6.0Vdc, I =20mAdc)  
C
COBO  
Collector Output Capacitance  
E
G
--- 7.0  
(VCB=6.0Vdc, I =0, f=1.0MHZ)  
E
Note: hFE(1) Classification O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400  
hFE(2) Classification O: 25 (Min.), Y: 40 (Min.)  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与2SC1959-Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC1959-Y-AP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC1959-Y-AP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC1959-Y-BP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC1959Y-BP MCC

获取价格

 		500mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
2SC1959-Y-BP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC1965 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 17V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR
2SC1966 MITSUBISHI

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifier on UHF band mobile radio applications)
2SC1967 MITSUBISHI

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 		RF POWER TRANSISTOR(NPN EPITAXAIL PLANAR TYPE)
2SC1968 MITSUBISHI

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SC1968A MITSUBISHI

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