2SB949

更新时间： 2024-01-03 13:40:17

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

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2SB949 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SB949 数据手册

Power Transistors

2SB949, 2SB949A

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

For power amplification and switching

Unit: mm

4.2±0.2

10.0±0.2

5.5±0.2

Complementary to 2SD1275 and 2SD1275A

2.7±0.2

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

φ3.1±0.1

●

High-speed switching

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

1.3±0.2

1.4±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

+0.2

–0.1

0.5

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

0.8±0.1

Collector to

2SB949

2SB949A

2SB949

–60

V_CBO

2.54±0.25

base voltage

Collector to

–80

5.08±0.5

–60

V_CEO

1:Base

emitter voltage 2SB949A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

V_EBO

I_CP

–5

–4

I_C

–2

Internal Connection

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–1

Unit

2SB949

V_CB= –60V, I_E= 0

current

2SB949A

2SB949

V_CB= –80V, I_E= 0

V_CB= –30V, I_B= 0

V_CB= –40V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

–1

Collector cutoff

current

–2

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

2SB949A

–2

Emitter cutoff current

–2

Collector to emitter 2SB949

voltage 2SB949A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

V_CE= –4V, I_C= –1A

1000

2000

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_CE= –4V, I_C= –2A

10000

–2.8

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –2A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –2A, I_B= –8mA

–2.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 1MHz

0.4

1.5

0.5

MHz

µs

I_C= –2A, I_B1= –8mA, I_B2= 8mA,

V_CC= –50V

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

2000 to 5000 4000 to 10000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB949/2SB949A	ETC	获取价格	2SB949. 2SB949A - PNP Transistor Darlington
2SB949A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
2SB949AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-186
2SB949AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-186
2SB949AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-186
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2SB950	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)
2SB950/2SB950A	ETC	获取价格	2SB950. 2SB950A - PNP Transistor Darlington

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