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2SB950/2SB950A

更新时间： 2024-11-01 23:20:11

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其他 - ETC		晶体晶体管达林顿晶体管
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2SB950. 2SB950A - PNP Transistor Darlington

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2SB950/2SB950A 数据手册

Power Transistors

2SB0950, 2SB0950A (2SB950, 2SB950A)

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

Unit: mm

For power amplification and switching

10.0 0.ꢀ

5.5 0.ꢀ

4.ꢀ 0.ꢀ

ꢀ.7 ^0.ꢀ

Complementary to 2SD1276 and 2SD1276A

I Features

•

High forward current transfer ratio h_FE

High-speed switching

Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw

φ ꢁ.1 0.1

1.ꢁ 0.ꢀ

1.4 0.1

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

+0.ꢀ

–0.1

0.5

Parameter

Symbol

Rating

Unit

0.8 0.1

2SB0950

2SB0950A

2SB0950

2SB0950A

V_CBO

−60

Collector to base

ꢀ.54 0.ꢁ

5.08 0.5

voltage

−80

V_CEO

−60

Collector to

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

emitter voltage

−80

ꢀ ꢁ

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

−5

EIAJ : SC-67

TO-220F Package

−8

−4

Internal Connection

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

−200

−500

−2

Unit

2SB0950

2SB0950A

2SB0950

2SB0950A

I_CBO

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CB= −80 V, I_E= 0

V_CE= −30 V, I_B= 0

µA

Collector cutoff

current

I_CEO

µA

Collector cutoff

current

_CE= −40 V, I_B= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_EB= −5 V, I_C= 0

I_C= −30 mA, I_B= 0

2SB0950

V_CEO

−60

−80

Collector to emitter

voltage

2SB0950A

Forward current transfer ratio

h_FE1

V_CE= −3 V, I_C= − 0.5 A

V_CE= −3 V, I_C= −3 A

1 000

2 000

h_FE2

10 000

−2.5

−2

Base to emitter voltage

V_BE

V_CE= −3 V, I_C= −3 A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

I_C= −3 A, I_B= −12 mA

I_C= −5 A, I_B= −20 mA

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 1 MHz

I_C= −3 A, I_B1= −12 mA, I_B2= 12 mA,

V_CC= −50 V

−4

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

0.3

MHz

µs

0.5

µs

Note) : Rank classification

Rank

h_FE2

2 000 to 5 000 4 000 to 10 000

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.

12 3

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与2SB950/2SB950A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB950A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)
2SB950A	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
2SB950AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB951	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For midium-speed switching)
2SB951/2SB951A	ETC	获取价格	2SB951. 2SB951A - PNP Transistor Darlington

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