2SB951

更新时间： 2024-02-17 06:20:45

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For midium-speed switching)

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2SB951 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SB951 数据手册

Power Transistors

2SB951, 2SB951A

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

For midium-speed switching

Unit: mm

4.2±0.2

10.0±0.2

5.5±0.2

Complementary to 2SD1277 and 2SD1277A

2.7±0.2

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

φ3.1±0.1

●

High-speed switching

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

1.3±0.2

1.4±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

Parameter

Collector to

Symbol

Ratings

Unit

2SB951

2SB951A

2SB951

–60

2.54±0.25

V_CBO

base voltage

Collector to

–80

5.08±0.5

–60

1:Base

2:Collector

3:Emitter

V_CEO

emitter voltage 2SB951A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

V_EBO

I_CP

–7

TO–220 Full Pack Package(a)

–12

Internal Connection

I_C

–8

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

–2

Unit

µA

2SB951

V_CB= –60V, I_E= 0

current

2SB951A

V_CB= –80V, I_E= 0

V_EB= –7V, I_C= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

Collector to emitter 2SB951

voltage 2SB951A

–60

–80

V_CEO

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –3V, I_C= –4A

2000

500

10000

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –3V, I_C= –8A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –4A, I_B= –8mA

–1.5

–2

I_C= –4A, I_B= –8mA

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= –10V, I_C= –1A, f = 1MHz

0.5

MHz

µs

I_C= –4A, I_B1= –8mA, I_B2= 8mA,

V_CC= –50V

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

2000 to 5000 4000 to 10000

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB951/2SB951A	ETC	获取价格	2SB951. 2SB951A - PNP Transistor Darlington
2SB951A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For midium-speed switching)
2SB951AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| SOT-186
2SB951AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| SOT-186
2SB951AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| SOT-186
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2SB951R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| SOT-186
2SB952	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SB952A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)

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