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2SB951AQ

更新时间: 2024-01-09 10:30:35
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 210K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186

2SB951AQ 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.83Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHzBase Number Matches:1

2SB951AQ 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186
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