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2SB953AP

更新时间： 2024-02-08 13:42:48
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 76K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB

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2SB953AP 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.77
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SB953AP 数据手册

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Power Transistors  
2SB0953, 2SB0953A (2SB953, 2SB953A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-voltage switching  
Complementary to 2SD1444 and 2SD1444A  
Unit: mm  
10.0 0.2  
5.5 0.2  
4.2 0.2  
Features  
I
G
2.7 0.2  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
High-speed switching  
G
G
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
φ3.1 0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
I
C
1.3 0.2  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
1.4 0.1  
Collector to  
2SB0953  
2SB0953A  
2SB0953  
–40  
+0.2  
–0.1  
VCBO  
V
0.5  
base voltage  
Collector to  
–50  
0.8 0.1  
–20  
VCEO  
V
2.54 0.25  
emitter voltage 2SB0953A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–40  
5.08 0.5  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
1
2
3
–12  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
TO–220 Full Pack Package(a)  
IC  
–7  
Collector power TC=25°C  
30  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
I
C
Parameter  
Symbol  
Conditions  
min  
typ  
max  
–50  
–50  
–50  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff  
2SB0953  
VCB = –40V, IE = 0  
VCB = –50V, IE = 0  
EB = –5V, IC = 0  
ICBO  
current  
2SB0953A  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
V
Collector to emitter 2SB0953  
voltage 2SB0953A  
–20  
–40  
45  
IC = –10mA, IB = 0  
VCE = –2V, IC = – 0.1A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
VCE = –2V, IC = –2A  
90  
260  
– 0.6  
–1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –5A, IB = – 0.16A  
V
V
IC = –5A, IB = – 0.16A  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
fT  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
150  
140  
0.1  
0.5  
0.1  
MHz  
pF  
µs  
Cob  
ton  
tstg  
tf  
Storage time  
IC = –2A, IB1 = –66mA, IB2 = 66mA  
µs  
Fall time  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank hFE2 = 90 to 260) in the  
rank classification.  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.  
1
1234

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与2SB953AP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB953APQ PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB953AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
2SB953AR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 7A I(C) | SOT-186
2SB953P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
2SB953PQ PANASONIC

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 		Silicon PNP Power Transistors

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