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2SB953APQ

更新时间： 2024-01-19 16:49:28

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, FULL PACK-3

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2SB953APQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, FULL PACK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB953APQ 数据手册

Power Transistors

2SB0953, 2SB0953A (2SB953, 2SB953A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-voltage switching

Complementary to 2SD1444 and 2SD1444A

Unit: mm

10.0 0.2

5.5 0.2

4.2 0.2

Features

2.7 0.2

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

High-speed switching

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

φ3.1 0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

1.3 0.2

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.4 0.1

Collector to

2SB0953

2SB0953A

2SB0953

–40

+0.2

–0.1

V_CBO

0.5

base voltage

Collector to

–50

0.8 0.1

–20

V_CEO

2.54 0.25

emitter voltage 2SB0953A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–40

5.08 0.5

V_EBO

I_CP

–5

–12

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

I_C

–7

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

–50

Unit

µA

Collector cutoff

2SB0953

V_CB= –40V, I_E= 0

V_CB= –50V, I_E= 0

_EB= –5V, I_C= 0

I_CBO

current

2SB0953A

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

h_FE1

Collector to emitter 2SB0953

voltage 2SB0953A

–20

–40

I_C= –10mA, I_B= 0

V_CE= –2V, I_C= – 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –2A

260

– 0.6

–1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –5A, I_B= – 0.16A

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

f_T

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

150

140

0.1

0.5

0.1

MHz

µs

C_ob

t_on

t_stg

t_f

Storage time

I_C= –2A, I_B1= –66mA, I_B2= 66mA

µs

Fall time

µs

^*h_FE2Rank classification

Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank h_FE2= 90 to 260) in the

rank classification.

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.

12 3 4

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2SB953P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB
2SB953PQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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