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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB950A
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2SB950A

更新时间： 2024-01-26 09:54:46
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)

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2SB950A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.83
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：2000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SB950A 数据手册

 浏览型号2SB950A的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SB950, 2SB950A  
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington  
For power amplification and switching  
Unit: mm  
4.2±0.2  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
2.7±0.2  
Complementary to 2SD1276 and 2SD1276A  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
φ3.1±0.1  
●
●
High-speed switching  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
+0.2  
–0.1  
0.5  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
0.8±0.1  
Collector to  
2SB950  
2SB950A  
2SB950  
–60  
VCBO  
V
2.54±0.25  
base voltage  
Collector to  
–80  
–60  
5.08±0.5  
VCEO  
V
1
2
3
emitter voltage 2SB950A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
TO–220 Full Pack Package(a)  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
–8  
IC  
–4  
Internal Connection  
Collector power TC=25°C  
40  
C
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
E
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
Conditions  
min  
typ  
max  
–200  
–200  
–500  
–500  
–2  
Unit  
2SB950  
VCB = –60V, IE = 0  
ICBO  
µA  
current  
2SB950A  
2SB950  
VCB = –80V, IE = 0  
VCE = –30V, IB = 0  
VCE = –40V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
µA  
mA  
V
2SB950A  
Emitter cutoff current  
Collector to emitter 2SB950  
voltage 2SB950A  
–60  
–80  
IC = –30mA, IB = 0  
VCE = –3V, IC = – 0.5A  
VCE = –3V, IC = –3A  
VCE = –3V, IC = –3A  
1000  
2000  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
*
hFE2  
10000  
–2.5  
–2  
VBE  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
fT  
V
V
I
C = –3A, IB = –12mA  
Collector to emitter saturation voltage  
IC = –5A, IB = –20mA  
–4  
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
20  
0.3  
2
MHz  
µs  
ton  
IC = –3A, IB1 = –12mA, IB2 = 12mA,  
VCC = –50V  
tstg  
µs  
tf  
0.5  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
2000 to 5000 4000 to 10000  
1
12

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与2SB950A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB950AP ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186
2SB950AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186
2SB950AR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186
2SB950P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186
2SB950Q ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186
2SB950R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186
2SB951 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For midium-speed switching)
2SB951/2SB951A ETC

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 		2SB951. 2SB951A - PNP Transistor Darlington
2SB951A PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For midium-speed switching)
2SB951AP ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186

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