2SB950A

更新时间： 2024-11-02 06:18:11

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描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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2SB950A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2SB950A 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

2SB950A

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 2000(Min.)@I_C= -3A

·High Speed Switching

·Complement to Type 2SD1276A

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

-80

-5

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-4

I_CM

-8

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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与2SB950A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB950AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB950R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186
2SB951	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For midium-speed switching)
2SB951/2SB951A	ETC	获取价格	2SB951. 2SB951A - PNP Transistor Darlington
2SB951A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For midium-speed switching)
2SB951AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| SOT-186