Datasheet > 2SB949/2SB949A

2SB949/2SB949A

更新时间： 2024-01-15 16:38:24

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	66K
描述
2SB949. 2SB949A - PNP Transistor Darlington

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB949/2SB949A 数据手册

Power Transistors

2SB0949, 2SB0949A (2SB949, 2SB949A)

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

Unit: mm

For power amplification and switching

10.0 0.ꢀ

5.5 0.ꢀ

4.ꢀ 0.ꢀ

ꢀ.7 ^0.ꢀ

Complementary to 2SD1275 and 2SD1275A

I Features

•

High forward current transfer ratio h_FE

High-speed switching

Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw

φ ꢁ.1 0.1

1.ꢁ 0.ꢀ

1.4 0.1

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

+0.ꢀ

–0.1

0.5

Parameter

Symbol

Rating

Unit

0.8 0.1

2SB0949

2SB0949A

2SB0949

2SB0949A

V_CBO

−60

Collector to base

ꢀ.54 0.ꢁ

5.08 0.5

voltage

−80

V_CEO

−60

Collector to

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

emitter voltage

−80

ꢀ ꢁ

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

−5

EIAJ : SC-67

TO-220F Package

−4

−2

Internal Connection

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Conditions

V_CB= −60 V, I_E= 0

_CB= −80 V, I_E= 0

Min

Typ

Max

−1

Unit

2SB0949

2SB0949A

2SB0949

2SB0949A

I_CBO

Collector cutoff

current

−1

I_CEO

V_CB= −30 V, I_B= 0

V_CB= −40 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

I_C= −30 mA, I_B= 0

−2

Collector cutoff

current

−2

Emitter cutoff current

I_EBO

−2

2SB0949

V_CEO

−60

−80

Collector to emitter

voltage

2SB0949A

Forward current transfer ratio

h_FE1

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

1 000

2 000

h_FE2

V_CE= −4 V, I_C= −2 A

10 000

−2.8

Base to emitter voltage

Collector to emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_BE

V_CE(sat)

f_T

V_CE= −4 V, I_C= −2 A

I_C= −2 A, I_B= −8 mA

−2.5

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 1 MHz

I_C= −2 A, I_B1= −8 mA, I_B2= 8 mA,

V_CC= −50 V

0.4

1.5

0.5

MHz

µs

t_on

Storage time

t_stg

µs

Fall time

t_f

µs

Note) : Rank classification

Rank

h_FE2

2 000 to 5 000 4 000 to 10 000

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB949/2SB949A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB949A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
2SB949AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-186
2SB949AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-186
2SB949AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-186
2SB949P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-186
2SB949Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-186
2SB949R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SOT-186
2SB950	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)
2SB950/2SB950A	ETC	获取价格	2SB950. 2SB950A - PNP Transistor Darlington
2SB950A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)

与2SB949/2SB949A相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

1
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

2
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

2
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB949/2SB949A

2SB949/2SB949A 数据手册

与2SB949/2SB949A相关器件

与2SB949/2SB949A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB949/2SB949A

2SB949/2SB949A 数据手册

与2SB949/2SB949A相关器件

与2SB949/2SB949A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？