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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB949Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186 |
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| 2SB949R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186 |
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| 2SB950 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching) |
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| 2SB950/2SB950A | ETC |
获取价格 |
2SB950. 2SB950A - PNP Transistor Darlington |
|
| 2SB950A | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching) |
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| 2SB950A | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| 2SB950AP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
|
| 2SB950AQ | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
|
| 2SB950AR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
|
| 2SB950P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
|
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