2SB942PQ

更新时间： 2024-09-21 13:04:11

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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2SB942PQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	TO-220F, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SB942PQ 数据手册

Power Transistors

2SB942, 2SB942A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SD1267 and 2SD1267A

Unit: mm

Features

■

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

2.7±0.2

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

φ3.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.3±0.2

Collector to

2SB942

2SB942A

2SB942

–60

1.4±0.1

V_CBO

base voltage

Collector to

–80

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

–60

V_CEO

emitter voltage 2SB942A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

2.54±0.25

V_EBO

I_CP

–5

5.08±0.5

–8

I_C

–4

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

–400

–700

–1

Unit

2SB942

V_CE= –60V, V_BE= 0

µA

current

2SB942A

2SB942

V_CE= –80V, V_BE= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –60V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

µA

2SB942A

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB942

voltage 2SB942A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –4V, I_C= –1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –3A

–2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –4A, I_B= – 0.4A

–1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= –10V, I_C= – 0.1A, f = 10MHz

0.2

0.5

0.2

MHz

µs

I_C= –4A, I_B1= – 0.4A, I_B2= 0.4A

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank h_FE1= 70 to 250) in the

rank classification.

70 to 150

120 to 250

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