2SB944

更新时间： 2024-01-30 16:50:32

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB944 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	4 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SB944 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB944

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Large collector current I_C

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SD1269

APPLICATIONS

·For power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-130

-80

UNIT

Open base

Open collector

-7

-4

I_CM

Collector current-peak

-8

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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