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2SB944PQ

更新时间： 2024-01-08 08:05:28
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4页 75K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB

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2SB944PQ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：60
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

2SB944PQ 数据手册

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Power Transistors  
2SB0944 (2SB944)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For power switching  
Unit: mm  
Complementary to 2SD1269  
10.0 0.2  
5.5 0.2  
4.2 0.2  
2.7 0.2  
Features  
I
G
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
Large collector current IC  
G
φ3.1 0.1  
G
G
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
1.3 0.2  
1.4 0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
I
C
+0.2  
–0.1  
0.5  
0.8 0.1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–130  
2.54 0.25  
–80  
V
5.08 0.5  
–7  
V
1
2
3
–8  
A
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
TO–220 Full Pack Package(a)  
IC  
–4  
A
Collector power TC=25°C  
35  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
I
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–10  
–50  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –100V, IE = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
VEB = –5V, IC = 0  
IC = –10mA, IB = 0  
Collector to emitter voltage  
–80  
45  
V
CE = –2V, IC = – 0.1A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
VCE = –2V, IC = –1A  
90  
260  
– 0.5  
–1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –3A, IB = – 0.15A  
V
V
IC = –3A, IB = – 0.15A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
30  
MHz  
µs  
0.15  
0.8  
IC = –1A, IB1 = – 0.1A, IB2 = 0.1A  
µs  
0.15  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank hFE2 = 90 to 260) in the rank classification.  
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB944Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
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