2SB947

更新时间： 2024-01-24 12:31:03

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松下 - PANASONIC		开关
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3页	58K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)

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2SB947 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB947 数据手册

Power Transistors

2SB947, 2SB947A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-voltage switching

Unit: mm

Features

■

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

High-speed switching

2.7±0.2

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

φ3.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.3±0.2

1.4±0.1

Collector to

2SB947

2SB947A

2SB947

–40

V_CBO

base voltage

Collector to

–50

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

–20

V_CEO

emitter voltage 2SB947A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–40

2.54±0.25

V_EBO

I_CP

–5

5.08±0.5

–15

1:Base

I_C

–10

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–50

Unit

µA

2SB947

V_CB= –40V, I_E= 0

current

2SB947A

V_CB= –50V, I_E= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

h_FE1

Collector to emitter 2SB947

voltage 2SB947A

–20

–40

I_C= –10mA, I_B= 0

V_CE= –2V, I_C= – 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –2A

260

– 0.6

–1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –7A, I_B= – 0.23A

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

f_T

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

150

200

0.1

0.5

0.1

MHz

µs

C_ob

t_on

t_stg

t_f

Storage time

I_C= –2A, I_B1= –66mA, I_B2= 66mA

µs

Fall time

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

12 3

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