2SB945

更新时间： 2024-01-22 08:47:53

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB945 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SB945 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB945

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Large collector current I_C

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SD1270

APPLICATIONS

·For power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-130

-80

UNIT

Open base

Open collector

-7

-5

I_CM

Collector current-peak

-10

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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2SB945_2014	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
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2SB945PQ	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB945Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB	获取价格
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