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2SB9435U

更新时间： 2023-12-06 20:08:54

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先科 - SWST		晶体管
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4页	182K
描述
小信号晶体管

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2SB9435U 数据手册

2SB9435U

PNP Silicon Epitaxial Power Transistor

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak Collector Current

-I_CM

Base Current

-I_B

0.72 ¹⁾

Total Power Dissipation at T_a= 25℃

Total Power Dissipation at T_c= 25℃

Operating and Storage Junction Temperature Range

P_tot

℃

P_tot

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

174

Unit

℃/W

Thermal Resistance - Junction to Ambient

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated：27/05/2021 Rev: 06

12 3 4

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