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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 1 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 9 MHz | VCEsat-Max： | 1.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB906-Y(Q) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SB906Y(SM) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SB906-Y(T6L1DI,NQ | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SB906-Y(TE16L1,NQ | TOSHIBA |
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TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD |
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| 2SB906-Y(TE16L1,NQ) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SB907 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (SWITCHING, HANNER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SB907(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SB907(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252AA |
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| 2SB907_07 | TOSHIBA |
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Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applic |
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| 2SB907_10 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applic |
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