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2SB766

更新时间： 2024-01-25 12:52:59

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永而佳 - WINNERJOIN		晶体晶体管
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描述
TRANSISTOR (PNP)

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2SB766 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	170
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SB766 数据手册

RoHS

2SB766

SOT-89

1. ^BASE

2SB766 TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

Power dissipation

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

P_CM:

500

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

-1

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

-30

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-10µA, I_E=0

Ic=-2mA, I_B=0

MIN

-30

-25

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=-10µA, I_C=0

µA

V_CB=-20V, I_E=0

-0.1

340

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=-4V, I_C=0

h_FE(1)

_CE=-10V, I_C=-500mA

DC current gain

h_FE(2)

V_CE=-5V, I_C=-1A

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

-0.2

-0.85

200

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=-500mA, I_B=-50mA

-0.4

-1.2

MHz

V_CE=-10V, I_C=-50mA, f=200MHz

C_ob

Collector output capacitance

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Range

85-170

120-240

170-340

Marking

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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