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2SB766A

更新时间： 2024-02-13 15:15:33
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 242K
描述
Plastic Encapsulated Transistor

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2SB766A 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：170
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SB766A 数据手册

 浏览型号2SB766A的Datasheet PDF文件第2页 
2SB766A  
PNP  
Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-89  
FEATURES  
Large collector power dissipation PC  
Complementary to 2SD874A  
A
C
D
Collector  
  
PACKAGE INFORMATION  
  
Base  
Weight: 0.05 g (approximately)  
I
L
H
  
G
Emitter  
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
3.00 REF.  
1.50 REF.  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
4.60  
4.25  
1.70  
1.50  
2.60  
1.20  
A
B
C
D
E
F
4.40  
4.05  
1.50  
1.30  
2.40  
0.89  
G
H
I
J
K
L
MARKING  
0.40  
1.40  
0.35  
0.52  
1.60  
0.41  
B  
= hFE ranking  
5° TYP.  
0.70 REF.  
M
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Unit  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Collector-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-60  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-50  
-5  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction & Storage temperature  
-1  
0.5  
A
PC  
W
°C  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
PNP ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-60  
-50  
-5  
-
-
-
-
V
V
IC=-10A, IE=0  
IC= -2mA, IB=0  
-
-
-
V
IE=-10A, IC=0  
VCB=-20V, IE=0  
-
-
-0.1  
-0.1  
340  
-
A  
A  
Emitter cut-off current  
IEBO  
-
VEB=-4 V, IC=0  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
f T  
85  
50  
-
-
VCE=-10V, IC= -500mA  
VCE=-5V, IC= -1000mA  
IC=-500mA, IB= -50mA  
IC=-500mA, IB= -50mA  
DC current gain  
-
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
-0.2  
-0.85  
200  
20  
-0.4  
-1.2  
-
V
V
-
-
MHz VCE=-10V, IC=-50mA, f=200MHz  
Output Capacitance  
COB  
-
30  
pF  
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  
CLASSIFICATION OF hFE2  
S
Rank  
Range  
Marking  
Q
85 - 170  
R
120 - 240  
BR  
170 - 340  
BQ  
BS  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
01-June-2006 Rev. A  
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