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2SB766S

更新时间： 2024-01-24 12:46:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	239K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN

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2SB766S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SB766S 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SB0766, 2SB0766A (2SB766, 2SB766A)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For low-frequency output amplification

4.5 0.1

1.6 0.2

Complementary to 2SD0874 (2SD874), 2SD0874A (2SD874A)

1.5 0.1

■ Features

• Large collector power dissipation P_C

• Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic

insertion through the tape packing and the magazine packing

0.4 0.08

1.5 0.1

0.5 0.08

0.4 0.04

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

3˚

Parameter

Symbol

Rating

Unit

2SB0766

2SB0766A

2SB0766

2SB0766A

V_CBO

−30

−60

Collector-base voltage

(Emitter open)

45˚

3.0 0.15

V_CEO

−25

Collector-emitter voltage

(Base open)

1: Base

2: Collector

3: Emitter

−50

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

MiniP3-F1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−1

Peak collector current

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

−1.5

Marking Symbol:

• 2SB0766: A

• 2SB0766A: B

°C

150

T_stg

−55 to +150

Note) : Print circuit board: Copper foil area of 1 cm²or more, and the board thickness of 1.7 mm for the collector portion.

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

I_C= −10 µA, I_E= 0

Min

−30

−60

−25

−50

−5

Typ

Max

Unit

2SB0766

2SB0766A

2SB0766

2SB0766A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

V_CEO

I_C= −2 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

V_EBO

I_CBO

I_E= −10 µA, I_C= 0

µA



V_CB= −20 V, I_E= 0

− 0.1

Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

V_CE= −10 V, I_C= −500 mA

V_CE= −5 V, I_C= −1 A

340

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

− 0.2 − 0.4

− 0.85 −1.20

200

Base-emitter saturation voltage ^*

Transition frequency

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

85 to 170

120 to 240

170 to 340

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: March 2004

SJC00051DED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB766-S	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB766-S-HF	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB767	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB767	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB767	TYSEMI	获取价格	Large collector power dissipation PC High collector-emitter voltage (Base open) VCEO
2SB767H	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB767-HF_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB767Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-62
2SB767-Q-HF	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB767R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-62

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