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2SB768

更新时间： 2024-02-02 03:53:42

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
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1页	39K
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Silicon PNP Transistor

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2SB768 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SB768 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon PNP Transistor

2SB768

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

Features

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

High Voltage:VCBO=-150V

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-200

-150

-5

Collector Current

-2

Collector Current (Pulse) *1

Total Power Dissipation *2 Ta=25

Junction Temperature

I^CP

-3

T^j

150

Storage Temperature

Tstg

-55 to 150

*1 PW 10ms,.Duty Cycle 50%

*2 when mounted on ceramic substrate of 7.5cm²X 0.7mm

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector Cutoff Current

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-50

Unit

ìA

VCB=-150V, IE=0

Emitter Cutoff Current

I^EBO

VEB=-4V, IC=0

-50

ìA

DC Current Gain *

h^FE

VCE=-10V, IC=-0.4A

IC=-500mA, IB=-50mA

VCE=-10V,IE=-0.4mA

200

Collector-to-Emitter Saturation Voltage *

Gain Badnwidth Product

V^CE(sat)

f^T

-0.15 -1.0

MHz

* Pulsed :pw 350ìs,Duty Cycle 2%

hFE Classification

Marking

hFE

40 to 80

60 to 120

100 to 200

www.kexin.com.cn

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