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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB768L-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,150V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SB768L-S-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,150V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SB768M | NEC |
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BJT |
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| 2SB768-M | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB768M-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,150V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
|
| 2SB768M-E1 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MP-3, 3 |
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| 2SB768M-E2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MP-3, 3 |
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| 2SB768M-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,150V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SB768-T1K | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, |
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| 2SB768-T1L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, |
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