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2SB766AS

更新时间： 2024-09-24 20:29:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 239K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN

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2SB766AS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：170JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SB766AS 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SB0766, 2SB0766A (2SB766, 2SB766A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
For low-frequency output amplification  
4.5 0.1  
1.6 0.2  
Complementary to 2SD0874 (2SD874), 2SD0874A (2SD874A)  
1.5 0.1  
■ Features  
• Large collector power dissipation PC  
• Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic  
insertion through the tape packing and the magazine packing  
3
1
0.4 0.08  
1.5 0.1  
0.4 0.04  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
2SB0766  
2SB0766A  
2SB0766  
2SB0766A  
VCBO  
−
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
45˚  
3.0 0.15  
VCEO  
5  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
−50  
Emitter-base voltage (Collector VEB
−5  
V
A
MiniP3-F1 Package  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
Tj  
Peak collector current  
Collector power disipaon *  
Junction temperure  
Storage tempature  
−1.5  
1
A
Marking Symbol:  
• 2SB0766: A  
• 2SB0766A: B  
W
°C  
°C  
150  
−55 to +150  
Note) : Pricircuiboard: Copper foil m2 or more, and the board thickness of 1.7 mm for the collector portion.  
ElecCharacterisics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
IC = −10 µA, IE = 0  
Min  
−30  
−60  
−25  
−50  
−5  
Typ  
Max  
Unit  
2S0766  
2SB0766A  
2SB0766  
2SB0766A  
VCBO  
V
ollector-base voltag
(mitter n)  
VCEO  
IC = −2 mA, IB 0  
V
Cooltag
(Bas
Emitter-age (Collector open)  
Collector-base cutoff current (itter open)  
VEBO  
ICBO  
IE = −10 µA, IC = 0  
V
µA  
VCB = −20 V, IE = 0  
− 0.1  
1
2
Forward current transfer ratio *  
hFE1  
hFE2  
VCE = −10 V, IC = −500 mA  
VCE = −5 V, IC = −1 A  
85  
50  
340  
*
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = −500 mA, IB = −50 mA  
VBE(sat) IC = −500 mA, IB = −50 mA  
− 0.2 − 0.4  
− 0.85 −1.20  
200  
V
V
1
Base-emitter saturation voltage *  
Transition frequency  
fT  
VCB = −10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Co
20  
30  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
Q
R
S
hFE1  
85 to 170  
120 to 240  
170 to 340  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: March 2004  
SJC00051DED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB766A-S WEITRON

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SB766A-S UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3
2SB766B TYSEMI

获取价格

 		Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic
2SB766H PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB766-HF_15 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB766Q PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMP
2SB766-Q KEXIN

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 		PNP Transistors
2SB766-Q-HF KEXIN

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2SB766R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SB766-R KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors

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