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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB766A
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2SB766A

更新时间： 2024-09-24 03:56:31
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友顺 - UTC 晶体小信号双极晶体管输出元件
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
LOW FREQUENCY OUTPUT AMPLIFICATION

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2SB766A 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.44最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SB766A 数据手册

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UTC2SB766A  
PNPEPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
LOW FREQUENCY OUTPUT  
AMPLIFICATION  
FEATURES  
1
*Large collector power dissipation Pc.  
*Mini Power type package, allowing downsizing of the  
equipment and automatic insertion through the tape  
packing and the magazine packing.  
SOT-89  
1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C )  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Ic  
RATING  
UNIT  
V
V
V
A
Collector-Base Voltage  
-60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-50  
-5  
-1  
-1.5  
1
Peak Collector Current  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Icp  
Pc*  
Tj  
TSTG  
A
W
°C  
°C  
150  
-55 ~ +150  
*Printed circuit board :Copper foil area of 1cm2 or more, and the board thickness of 1.7mm for the collector portion.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNIT  
Ic= -10μA ,IE=0  
Ic= -2mA ,IB= 0  
IE= -10μA, IC=0  
-60  
-50  
-5  
V
V
V
μA  
Collector Cut-Off Current  
VCB= -20V,IE=0  
VCE= -10V,Ic= -500mA *  
VCE= -5V,Ic= -1A *  
-0.1  
340  
hFE1  
hFE2  
85  
50  
DC Current Transfer Ratio  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
VCE(sat) Ic = -500mA,IB =-50mA*  
VBE(sat) Ic = -500mA,IB =-50mA*  
-0.2  
-0.85 -1.2  
200  
-0.4  
V
V
MHz  
pF  
fT  
VCB= -10V, IE= 50 mA, f=200MHz  
VCB= -10V, IE= 0, f=1MHz  
Output Capacitance  
Cob  
20  
30  
*Pulse measurement  
CLASSIFICATION OF hFE1  
RANK  
Q
R
S
RANGE  
85-170  
120-240  
170-340  
1
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD  
QW-R208-028,A  
123

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